半導(dǎo)體檢測(cè)是貫穿芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試全流程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心目的是篩選出性能失效、參數(shù)不達(dá)標(biāo)、存在缺陷的半導(dǎo)體器件，保障芯片的可靠性、良率與穩(wěn)定性，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的 “質(zhì)量守門(mén)人”。
·晶圓制造階段檢測(cè)（前道檢測(cè)）針對(duì)未封裝的晶圓進(jìn)行檢測(cè)，提前排除工藝缺陷，降低后續(xù)成本。
晶圓表面檢測(cè)：通過(guò)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備（AOI）檢查晶圓表面的劃痕、顆粒污染、光刻圖案缺陷等。
電學(xué)參數(shù)檢測(cè)：用探針臺(tái)搭配測(cè)試機(jī)，對(duì)晶圓上的芯片裸片進(jìn)行參數(shù)測(cè)試，驗(yàn)證電壓、電流、頻率等是否符合設(shè)計(jì)指標(biāo)。
缺陷分析：對(duì)異常芯片做切片、掃描電鏡（SEM）分析，定位光刻、蝕刻、摻雜等工藝中的問(wèn)題。
·封裝測(cè)試階段檢測(cè)（后道檢測(cè)）芯片完成封裝后進(jìn)行的綜合性檢測(cè)，模擬實(shí)際使用環(huán)境。
外觀與尺寸檢測(cè)：檢查封裝體的平整度、引腳變形、封裝材料裂紋等外觀缺陷，測(cè)量引腳間距、封裝厚度等尺寸參數(shù)。
電性測(cè)試：包括功能測(cè)試（驗(yàn)證芯片邏輯功能是否正常）、直流參數(shù)測(cè)試（如漏電流、閾值電壓）、交流參數(shù)測(cè)試（如傳輸延遲、頻率響應(yīng)）。
可靠性測(cè)試：模擬極端使用環(huán)境，驗(yàn)證芯片長(zhǎng)期穩(wěn)定性，常見(jiàn)項(xiàng)目有高低溫循環(huán)測(cè)試、濕熱老化測(cè)試、鹽霧測(cè)試、靜電放電（ESD）測(cè)試、電磁兼容（EMC）測(cè)試等。
精度要求極高：需檢測(cè)納米級(jí)別的細(xì)微缺陷，設(shè)備分辨率需達(dá)到亞微米甚至納米級(jí)。
覆蓋全生命周期：從晶圓裸片到成品芯片，從出廠檢測(cè)到后期失效分析，檢測(cè)貫穿始終。
技術(shù)壁壘高：檢測(cè)設(shè)備融合光學(xué)、電學(xué)、材料學(xué)等多領(lǐng)域技術(shù)，是半導(dǎo)體設(shè)備中的高附加值品類(lèi)。
